• 【高斯摩】SSD西西蒂 CABS条形离子器 CABS-AW-y-z-150

  【高斯摩】SSD西西蒂 CABS条形离子器 CABS-AW-y-z-150【高斯摩】SSD西西蒂 CABS条形离子器 CABS-AW-y-z-150一、型号释义CABS：棒型离子发生器系列AW：标准吹气型y：CT‑TR 连接电缆长度（2m/5m）z：电源 / 信号电缆长度（2m/5m）150：有效除电长度 150mm二、核心定位CABS 系列紧凑型吹气式离子棒，有效除电长度 150mm，分体式结构

  2026-07-02 admin 1

• 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX3100

  【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX3100【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX3100一、核心定位专为3 米级超宽幅、大面积、高洁净度工业场景设计，可替代传统 2–3 根离子棒拼接方案，以一根通覆、高效稳定、低维护为核心价值，适配半导体、超宽薄膜、大型精密制造等行业超大宽工位防静电需求。二、核心技术：HDC‑AC 高频放电，长效稳定搭载 SSD 自研HDC‑A

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• 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2850

  【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2850【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2850一、核心定位专为2.8 米级超宽幅、大面积、高洁净度工业场景设计，可替代传统 2–3 根离子棒拼接方案，以一根通覆、高效稳定、低维护为核心价值，适配半导体、超宽薄膜、大型精密制造等行业超大宽工位防静电需求。二、核心技术：HDC‑AC 高频放电，长效稳定搭载 SSD 自研HDC

  2026-07-02 admin 3

• 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2600

  【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2600【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2600一、核心定位专为2.6 米级超宽幅、大面积、高洁净度工业场景设计，替代传统 2–3 根离子棒拼接方案，以一根通覆、高效稳定、低维护为核心价值，适配半导体、超宽薄膜、大型精密制造等行业超大宽工位防静电需求。二、核心技术：HDC‑AC 高频放电，长效稳定搭载 SSD 自研HDC‑

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• 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2350

  【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2350【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2350一、核心定位专为2.3 米级超宽幅、大面积、高洁净度工业场景设计，替代传统 2–3 根离子棒拼接方案，以一根通覆、高效稳定、低维护为核心价值，适配半导体、超宽薄膜、大型精密制造等行业的超大宽工位防静电需求。二、核心技术：HDC‑AC 高频放电，长效稳定搭载 SSD 自研HDC

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• 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2100

  【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2100【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2100一、核心定位专为超大宽幅、大面积、高洁净度工业场景设计，替代传统多根离子棒拼接方案，以一根通覆、高效稳定、低维护为核心价值，适配电子半导体、薄膜卷材、精密制造等行业的超宽工位防静电需求。二、核心技术：HDC‑AC 高频放电，长效稳定搭载 SSD 自研HDC‑AC 高频间歇放电

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• 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1850

  【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1850【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1850一、核心定位专为超大宽幅、大面积、高洁净度工业场景设计，替代传统多根离子棒拼接方案，以一根通覆、高效稳定、低维护为核心价值，适配电子半导体、薄膜卷材、精密制造等行业的超宽工位防静电需求。二、核心技术：HDC‑AC 高频放电，长效稳定搭载 SSD 自研HDC‑AC 高频间歇放电

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• 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1600

  【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1600【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1600一、核心定位CABX1600 面向1.6 米级超宽工位，解决传统多根离子棒拼接带来的静电不均、安装复杂、维护成本高的痛点，以 “一根通覆、高效稳定” 为核心价值，适配电子、薄膜、印刷、精密制造等大面积防静电场景。二、核心技术：HDC‑AC 高频放电，长效免维护搭载 SSD 自

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