产品概述

核心参数

• 通道数：16 通道

• 单通道受光面积：2.2 × 2.7 mm

• 像元间距：2.5 mm

• 基板尺寸：40.4 × 10.2 mm

• 闪烁体类型：磷光荧光片

• 光谱响应范围（芯片）：340～1100 nm

• 峰值响应波长：920 nm

• 典型灵敏度：0.61 A/W（920nm）

• 最大暗电流：50 pA（VR=10mV，单通道）

• 典型上升时间：6.5 μs

• 典型端子电容：75 pF（VR=0V，单通道）

• 最大反向电压：15 V

• 工作温度：-20℃～+60℃（无结露）

• 储存温度：-55℃～+80℃

• 冷却方式：非制冷

产品特点

1. 预耦合磷光荧光片，低能 X 射线响应灵敏，在双能成像方案中一般作为上层低能接收传感器使用

2. 背照式结构，感光面没有键合引线，贴合闪烁层时不易损伤芯片

3. 单通道感光面积大，信号输出强，对低剂量 X 光信号采集友好

4. 像元一致性良好，通道间灵敏度偏差小，成像画面干净均匀

5. 支持多片串联拼接，可搭建长线性扫描传感器；可搭配 S12362-121、S12362-321 组成双层双能识别方案

6. 同系列配套型号：S12362-021（无闪烁体）、S12362-121（CsI (Tl)）、S12362-321（GOS 陶瓷）；S12363 为同参数宽基板版本

应用场景

使用注意事项

1. 最大反向电压 15V，严禁超压，防止通道芯片损坏

2. 磷光荧光片耐辐照性能一般，长期持续 X 光照射会逐步衰减老化

3. 闪烁层质地脆，安装固定避免重压、撞击，防止闪烁层开裂脱落

4. PCB 布线时分通道独立走线，做好隔离，降低通道信号串扰

5. 器件静电敏感，装配全程落实防静电防护

6. 使用环境严禁结露，水汽会加速粘接层与闪烁片劣化

7. 和 S12362-121、321 对比：421 主打低能 X 光采集，用于双能上层；121 吸收效率更高，321 余辉最低