【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-321
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产品概述
核心参数
通道数:16 通道
单通道受光面积:2.2 × 2.7 mm
像元间距:2.5 mm
基板尺寸:40.4 × 10.2 mm
闪烁体类型:GOS 陶瓷
闪烁发光峰值:512 nm
光谱响应范围(芯片):340~1100 nm
峰值响应波长:920 nm
典型灵敏度:0.61 A/W(920nm)
最大暗电流:50 pA(VR=10mV,单通道)
典型上升时间:6.5 μs
典型端子电容:75 pF(VR=0V,单通道)
最大反向电压:10 V
工作温度:-10℃~+60℃(无结露)
储存温度:-20℃~+70℃
冷却方式:非制冷
产品特点
预封装 GOS 陶瓷闪烁体,断电 100ms 后余辉仅 0.01%,高速扫描拖影抑制效果优异,适合流水线连续检测
背照式结构,感光面无键合引线,贴合闪烁层时不容易损伤芯片
单通道感光面积大、像元间距宽,输出信号强度高,低剂量 X 光场景信噪比表现良好
成像均匀性优秀,GOS 陶瓷耐潮性优于 CsI (Tl),降低整机密封难度
支持多片串联拼接,可搭建超长线阵;可双层叠装,用于双能 X 光物质识别方案
同系列配套型号:S12362-021(无闪烁体)、S12362-121(CsI (Tl))、S12362-421(荧光片);S12363 为同参数宽基板版本
应用场景
使用注意事项
最大反向电压 10V,严禁超压,防止通道芯片损坏
GOS 陶瓷质地偏脆,安装固定避免重压、撞击,防止闪烁层开裂
PCB 布线时分通道独立走线,做好隔离,降低通道串扰
器件静电敏感,装配全程落实防静电防护
虽抗潮性能更好,长期使用仍建议整机密封,规避高湿环境
和 S12362-121 对比:321 余辉更低、成像均匀度好;121X 光吸收效率更高,适合低速低剂量场景
和 S11212-321 对比:S12362 系列单像元尺寸更大、间距更宽,信号更强,空间分辨率更低
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