【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12363-021
2026-10-23 10:32:21
admin
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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12363-021
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12363-021

产品概述
【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S12363-021 硅光电二极管阵列,背照式 16 通道线性阵列,基板尺寸 40.4 × 20.0 mm,不带闪烁体,属于 S12363 系列 X 光检测专用传感器,和 S12362 光学芯片参数一致,基板宽度更大,安装固定更稳固,入射面无键合引线,方便客户自行贴合闪烁体,支持多片拼接组成长线阵。
核心参数
通道数:16 通道
单通道受光面积:2.2 × 2.7 mm
像元间距:2.5 mm
基板尺寸:40.4 × 20.0 mm
光谱响应范围:340~1100 nm
峰值响应波长:920 nm
典型灵敏度:0.61 A/W(920nm)
最大暗电流:50 pA(VR=10mV,单通道)
典型上升时间:6.5 μs
典型端子电容:75 pF(VR=0V,单通道)
最大反向电压:15 V
结构:背照式,不含闪烁体
工作温度:-20℃~+60℃(无结露)
储存温度:-55℃~+80℃
冷却方式:非制冷
产品特点
无预装闪烁体,可按需选配 CsI (Tl)、GOS 陶瓷闪烁片,灵活适配不同 X 光能量方案
背照结构,感光面无键合引线,贴合闪烁片时不容易损伤芯片
基板加宽至 20mm,对比 S12362 机械稳定性更强,抗震性更好,适合震动工况设备
单通道感光面积大,信号输出强,低剂量 X 光场景信噪比优异
多只串联拼接,可拓展长线扫描视野,支持双层叠装实现双能 X 光成像
同系列配套预闪烁体型号:S12363-121(CsI (Tl))、S12363-321(GOS 陶瓷)、S12363-421(荧光片)
应用场景
X 光安检设备、工业 X 光无损探伤、流水线物料杂质检测、板材厚度检测、线扫描 X 光成像、双能 X 光识别模组等。
使用注意事项
最大反向电压 15V,严禁超压,防止通道芯片损坏
本型号不带闪烁体,探测 X 射线必须自行搭配闪烁转换层
芯片质地脆弱,贴合闪烁体时控制压力,避免芯片碎裂
PCB 布线时分通道独立走线,做好隔离,降低通道串扰
器件静电敏感,装配、贴合闪烁体全程落实防静电防护
使用环境严禁结露,水汽会造成芯片、粘接层劣化
和 S12362-021 对比:芯片光学参数完全一致,S12363 基板更宽,固定稳定性更好
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