【高斯摩】OHKURA大仓 立式热处理炉 DF2600
【高斯摩】OHKURA大仓 立式热处理炉 DF2600【高斯摩】OHKURA大仓 立式热处理炉 DF2600一、产品概述DF2600 为大仓中大批量量产型下开式立式热处理炉，定位高于 DF1600 小型立式炉，侧重高温、大批量晶圆连续生产。机身横向占地面积小，适配 4 至 8 英寸硅片产线，最高支持 1300℃高温工艺，搭载多段分区闭环温控系统，能耗相比传统卧式扩散炉更低，自动化上下料与晶圆承载量
【高斯摩】OHKURA大仓 立式热处理炉 DF2600
【高斯摩】OHKURA大仓 立式热处理炉 DF2600
一、产品概述
DF2600 为大仓中大批量量产型下开式立式热处理炉，定位高于 DF1600 小型立式炉，侧重高温、大批量晶圆连续生产。机身横向占地面积小，适配 4 至 8 英寸硅片产线，最高支持 1300℃高温工艺，搭载多段分区闭环温控系统，能耗相比传统卧式扩散炉更低，自动化上下料与晶圆承载量大幅提升。设备可输出完整运行、故障、电力信号，搭配 MT 系列多能换能器、ET 系列远程传输设备，接入全厂统一中控监控平台。
二、核心硬件规格
整机外形尺寸
宽 900mm × 深 1280mm × 高 2600mm，窄立式结构，大幅节约洁净车间平面空间。
适配晶圆规格
兼容 4 寸、5 寸、6 寸、8 寸硅片，可按需定制配套石英承载舟。
温控工艺参数
极限工艺温度 1300℃，满足高温扩散、厚层氧化、高温退火等严苛制程；炉内多区独立控温，恒温区间温度均匀性优秀，长期不间断生产温度漂移极小；可选高速升降温模块，适配快速温变工艺需求。
单次加工承载量
6 寸及更小晶圆单次最多处理 150 片，8 寸晶圆单次加工 100 片；缓存区域可存放多盒片匣，实现盒对盒全自动连续上下料。
气路系统
支持干氧、湿氧氧化、硼磷掺杂扩散、高温退火、金属薄膜合金化等主流半导体工艺；保护气、工艺掺杂气采用独立管路设计，每一路配备闭环流量控制，供气流量稳定可控。
晶圆传送机构
长行程高精度升降传送模组，舟槽间距可调，全程密闭无尘输送，降低晶圆表面颗粒污染，取放动作平稳无磕碰。
三、核心功能
高温工艺稳定加工
最高 1300℃稳定运行，适配 IGBT、高压功率器件、分立器件深结扩散、厚栅氧制备，弥补 DF1600 高温上限不足的问题。
全自动连续量产运行
搭载高清触控操作屏，可存储数百套自定义升温、恒温、降温工艺曲线，整套工序自动运行，支持无间断批量循环生产，减少人工干预。
易维护模块化炉体
炉管升降辅助机构集成化设计，单人即可完成石英炉管拆卸、清洁、更换，缩短停机维护时长，提升设备稼动率。
全维度安全联锁防护
集成超温自动停机、工艺气体压力异常报警、冷却水断流保护、炉门机械互锁、可燃气体泄漏监测等多重防护。温度、设备故障、气路异常信号可对外输出，远程上传至 ET9000 中控主机。
无尘密闭自动化流转
晶圆全程在密闭腔体内完成传送，隔绝车间粉尘，降低表面缺陷，适配高标准无尘量产产线。
四、产品核心优势
立式紧凑机身，平面占用面积远小于 DF1000 卧式多层扩散炉，适合厂房空间有限的量产车间改造。
大批量单次承载设计，单炉加工晶圆数量远超 DF1600，产能更高，适合芯片规模化量产。
耐高温温控系统，高温段均匀性出色，深扩散、厚氧化工艺的片内、片间一致性稳定，保障产品良率。
能耗优化设计，同等产能下相比卧式炉降低能耗，长期生产节约用电成本。
标准化信号输出，可联动大仓全套监测设备，将炉体工况、供电负荷、气体状态统一汇总至中控，实现工艺与电力一体化远程监控。
五、典型应用行业场景
功率半导体产线：IGBT、MOSFET、高压二极管高温深结扩散、栅氧氧化；
通用硅晶圆制造：标准硅片氧化、离子注入后退火、杂质扩散量产；
MEMS 与传感器芯片：高温薄膜退火、结构释放热处理；
光伏大功率硅基器件：扩散、钝化高温制程批量加工；
材料研发中试线：中大批量新材料高温工艺验证。