【高斯摩】OHKURA大仓 立式热处理炉 DF1600
【高斯摩】OHKURA大仓 立式热处理炉 DF1600【高斯摩】OHKURA大仓 立式热处理炉 DF1600一、产品概述DF1600 为立式单管半导体热处理炉,主打多规格、小批量晶圆加工场景,适配 4 至 8 英寸硅片。采用下开式立式结构,占地面积相比 DF1000 卧式扩散炉更小,适合洁净车间紧凑布局,多用于芯片研发试样、分立器件、功率器件、MEMS 芯片的氧化、杂质扩散、退火等工艺。设备搭载自
【高斯摩】OHKURA大仓 立式热处理炉 DF1600【高斯摩】OHKURA大仓 立式热处理炉 DF1600一、产品概述DF1600 为立式单管半导体热处理炉,主打多规格、小批量晶圆加工场景,适配 4 至 8 英寸硅片。采用下开式立式结构,占地面积相比 DF1000 卧式扩散炉更小,适合洁净车间紧凑布局,多用于芯片研发试样、分立器件、功率器件、MEMS 芯片的氧化、杂质扩散、退火等工艺。设备搭载自
【高斯摩】OHKURA大仓 立式热处理炉 DF1600
【高斯摩】OHKURA大仓 立式热处理炉 DF1600

整机外形尺寸
宽 900mm × 深 1980mm × 高 2200mm,窄幅立式结构,节省洁净室平面使用面积。
适配晶圆规格
兼容 4 寸、5 寸、6 寸、8 寸硅片,可根据工艺需求定制配套硅片舟。
温控参数
最高升温速率 100℃/min,最大降温速率 50℃/min,支持快速温变工艺;炉内分多段独立控温,长时间连续生产温度漂移控制良好,恒温区间温差小。
单次加工容量
标准批次单次处理 50 片硅片;片盒缓存区域最多存放 9 盒晶圆,实现盒对盒全自动上下料。
气路配置
支持干氧、湿氧氧化、掺杂扩散、退火、烘烤等工艺;氮气、氧气、氢气等工艺气体分独立管路,每路气体流量闭环精准调节。
晶圆传送机构
专用升降传送模组,硅片舟槽距 4.76~9.52mm 可调;标配 3 片同步取放,可选单片、5 片批量取放配件。
低温进炉工艺方案
硅片低温送入炉管,降低空气进入腔体造成的晶圆表面污染、晶格损伤,提升氧化膜、扩散层厚度均匀性,稳定芯片良率。
全自动程序化工艺运行
搭配触控操作屏幕,可储存上百套自定义升温、恒温、降温工艺曲线,一键启动自动完成整套热处理工序,降低人工操作误差。
简易炉管维护设计
内置炉管升降机构,石英反应管拆装无需大型辅助工具,单人可完成清洁、更换、检修,缩短设备停机维护时间。
多重安全联锁保护
具备超温自动停机、工艺气体压力异常报警、冷却水断流保护、炉门机械互锁等防护功能;设备运行状态、故障报警信号可向外输出,接入 MT 系列多能换能器、ET0100 信息发射机,远程推送至 ET9000 中控主机。
洁净自动化上下料
全程密闭式晶圆传送,减少人员接触带来的粉尘污染,适配自动化无尘产线配套使用。
立式紧凑机身,占用洁净室面积远小于多层卧式扩散炉,适合研发实验室、中小型芯片产线有限空间改造。
升降温速度快,单批次工艺周期短,小批量多品类试样打样效率更高。
多区独立控温,炉内温度场均匀,片内、片间工艺参数一致性稳定,减少产品性能差异。
模块化加热、气路、传送组件,零部件拆装更换简单,运维难度低,保障设备高稼动率。
标准化信号输出接口,可与大仓全系监测设备联动,炉体工况、电力负荷、气体状态统一汇总至中控平台,实现集中管控与故障远程预警。
半导体晶圆制造:硅片热氧化、硼磷杂质扩散、离子注入后退火处理;
功率器件、分立器件生产:MOS 管、二极管、三极管基底热处理;
MEMS、传感器芯片制造:薄膜退火、释放工艺高温处理;
科研院校实验室:新材料、新型芯片工艺研发、小批量试样加工;
光伏小尺寸硅片:扩散、钝化退火制程。