【高斯摩】OHKURA大仓 水平扩散炉 DF1000
【高斯摩】OHKURA大仓 水平扩散炉 DF1000【高斯摩】OHKURA大仓 水平扩散炉 DF1000一、产品概述DF1000 为卧式多层半导体专用热处理设备,主要用于硅片氧化、杂质扩散、退火等芯片前道工艺。设备采用水平炉管堆叠设计,可搭载 2 至 4 层炉管同步生产,纵向堆叠结构能够有效节约洁净厂房空间,适配 4 至 8 英寸硅片批量加工,搭载品牌自研高精度温控系统,量产稳定性强,日常检修维护
【高斯摩】OHKURA大仓 水平扩散炉 DF1000【高斯摩】OHKURA大仓 水平扩散炉 DF1000一、产品概述DF1000 为卧式多层半导体专用热处理设备,主要用于硅片氧化、杂质扩散、退火等芯片前道工艺。设备采用水平炉管堆叠设计,可搭载 2 至 4 层炉管同步生产,纵向堆叠结构能够有效节约洁净厂房空间,适配 4 至 8 英寸硅片批量加工,搭载品牌自研高精度温控系统,量产稳定性强,日常检修维护
【高斯摩】OHKURA大仓 水平扩散炉 DF1000
【高斯摩】OHKURA大仓 水平扩散炉 DF1000

适配晶圆规格
支持 4 寸、5 寸、6 寸、8 英寸硅片生产,可根据产线工艺需求定制对应炉管内径尺寸。
整机外形尺寸(四层配置)
4 寸机型:宽 1850mm× 深 700mm× 高 2150mm
5 寸机型:宽 2180mm× 深 850mm× 高 2395mm
6 寸机型:宽 2300mm× 深 850mm× 高 2395mm
8 寸机型:宽 2650mm× 深 1200mm× 高 2580mm
温控性能参数
恒温有效区间 800~900mm,不通工艺气体时,恒温段温差控制在 ±1.0℃以内;
工艺工作温度范围 700℃~1280℃,配备分段式专用加热组件;
采用闭环智能温控单元,升温后温度恢复速度快,长期连续生产温度漂移极低。
气路与腔体配置
标配多路工艺气体、保护气体独立管路,每根炉管配备独立流量调节组件;
石英炉管密封结构优化,减少杂质渗入,保证硅片工艺均匀性;
自带废气集中排出管路,适配洁净车间尾气处理规范。
多腔体并行加工
多层炉管独立控温、独立气路控制,可同时执行相同或不同热处理工艺,提升晶圆批量产能。
高精度恒温热处理
长均热区设计,整片硅片、整批舟片温度一致性高,扩散、氧化层厚度均匀,降低产品良率波动。
完整工艺程序存储
设备控制系统可存储上百套自定义升温、恒温、降温工艺曲线,一键调用自动运行整套工序。
安全联锁保护
具备超温停机、气体低压 / 高压报警、炉门互锁、冷却水异常停机多重防护;故障信号可接入 ET9000 等远程监控主机,实时上传告警信息。
自动化进出舟选配
可搭配全自动硅片舟传送机构,减少人工介入,降低洁净区污染风险,适配自动化产线搭建。
卧式多层紧凑布局,相比单台独立扩散炉大幅节省洁净车间占地面积,厂房投入成本更低。
温控精度优异,长时量产温漂小,稳定保障半导体扩散、氧化关键工艺的片内、片间一致性。
分层独立模块化结构,单根炉管检修不影响其余腔体正常生产,设备稼动率更高。
配套完整信号采集接口,温度、设备故障、气体状态信号可接入 MT 系列多能换能器、ET 系列传输终端,并入全厂统一监控平台,和电力、特气监测系统联动管控。
气路、加热单元模块化设计,配件更换简单,运维门槛低,适配工厂连续 7×24 小时不间断生产。
半导体晶圆制造:硅片高温热氧化、硼 / 磷杂质扩散、离子注入后退火工艺;
分立器件生产:二极管、三极管、功率 MOS 管基底热处理加工;
光伏芯片制造:小尺寸硅基光伏片扩散退火制程;
科研院所实验室:中小批量硅材料高温工艺研发、试样打样。