SUMITOMO住友重机械 SS-UHE(HE) 高能 离子植入装置
SUMITOMO住友重机械 SS-UHE(HE) 高能 离子植入装置SUMITOMO住友重机械 SS-UHE(HE) 高能 离子植入装置能够实现高生产力的高能离子植入设备全球标准高能离子植入对于嵌入式器件中三孔形成至关重要,同时也成为大规模生产CCD和CIS等图像传感器的关键技术。 我们提供HE3系列,作为高能离子植入装置,采用多级射频Linux加速方法。此外,单叶超高能装置“S-UHE”
SUMITOMO住友重机械 SS-UHE(HE) 高能 离子植入装置SUMITOMO住友重机械 SS-UHE(HE) 高能 离子植入装置能够实现高生产力的高能离子植入设备全球标准高能离子植入对于嵌入式器件中三孔形成至关重要,同时也成为大规模生产CCD和CIS等图像传感器的关键技术。 我们提供HE3系列,作为高能离子植入装置,采用多级射频Linux加速方法。此外,单叶超高能装置“S-UHE”
SUMITOMO住友重机械 SS-UHE(HE) 高能 离子植入装置
SUMITOMO住友重机械 SS-UHE(HE) 高能 离子植入装置
高能离子植入对于嵌入式器件中三孔形成至关重要,同时也成为大规模生产CCD和CIS等图像传感器的关键技术。 我们提供HE3系列,作为高能离子植入装置,采用多级射频Linux加速方法。
此外,单叶超高能装置“S-UHE”能够实现超高能量的注射范围,超越传统高能装置的能量范围,并实现前所未有的精准注入已经开始提供这些服务。 S-UHE配备了长期采用HE3系列的LINAC系统,采用单叶传输系统和对称离子束并联光学——这些是高电流和中电流器件的共同概念——以实现高精度束流并行性和高精度注入均匀性。
与S-UHE相比,能量和束流电流增加;最大能量:14.4 MeV
通过更快的晶圆扫描和增加束流电流实现高生产率。
提升能量精度和波束角度精度
提升离子加速效率(能量提升)
金属污染的最小化
与S-UHE相比,排气性能有所提升