SUMITOMO住友重机械 SS-UHE 高能离子 植入装置
SUMITOMO住友重机械 SS-UHE 高能离子 植入装置 SUMITOMO住友重机械 SS-UHE 高能离子 植入装置定位与用途全称:SS‑UHE Ⅱ(Serial Ultra High Energy)枚葉式超高エネルギーイオン注入装置厂商:住友重機械イオンテクノロジー(SHI Ion Technology)定位:S‑UHE 升级款,全球超高能离子注入机标杆一、核心用途:高端图像传感
SUMITOMO住友重机械 SS-UHE 高能离子 植入装置 SUMITOMO住友重机械 SS-UHE 高能离子 植入装置定位与用途全称:SS‑UHE Ⅱ(Serial Ultra High Energy)枚葉式超高エネルギーイオン注入装置厂商:住友重機械イオンテクノロジー(SHI Ion Technology)定位:S‑UHE 升级款,全球超高能离子注入机标杆一、核心用途:高端图像传感
SUMITOMO住友重机械 SS-UHE 高能离子 植入装置
SUMITOMO住友重机械 SS-UHE 高能离子 植入装置
全称:SS‑UHE Ⅱ(Serial Ultra High Energy)枚葉式超高エネルギーイオン注入装置
厂商:住友重機械イオンテクノロジー(SHI Ion Technology)
定位:S‑UHE 升级款,全球超高能离子注入机标杆
一、核心用途:
高端图像传感器(CIS/CCD):光电二极管深层、高精度注入
先进逻辑 / 存储:三重阱、深埋层、高压器件深层掺杂
功率半导体:SiC/GaN 等宽禁带材料高能注入
加速架构:18 段 RF 直线加速器(Linac)+ 对称束流线设计
能量范围:
最小:85 keV(DC)
最大:14.4 MeV(单电荷离子,较 S‑UHE 提升约 2 倍)
晶圆尺寸:300mm(兼容 200mm)
产能:>600 片 / 小时(较 S‑UHE 提升 30%+)
注入精度:
剂量均匀性:<0.3%(1σ)
注入角度控制:±0.05°(极致抑制沟道效应)
超低金属污染:<1e10 atoms/cm²
束流技术:静电扫描 + 平行化透镜 + 水平 / 垂直双轴角度闭环控制
能量:14.4 MeV vs 2 MeV(大幅提升)
束流:最大束流提升约 50%,适配高剂量深层注入
产能:>600 片 / 小时 vs >450 片 / 小时
精度:角度控制 ±0.05° vs ±0.1°,均匀性更优
架构:单片式(SS‑UHE)vs 多片批量式(HE3)
能量:14.4 MeV vs <1 MeV(SS‑UHE 超高能优势显著)
精度:单片式角度 / 均匀性远优于批量式,适合高端制程
对称束流线设计:减少束流畸变,实现超高能量下的高品质束流
双轴角度闭环控制:水平 + 垂直方向精准控角,抑制沟道效应,保证深层注入重复性
超低污染设计:全腔室高纯度材料 + 真空系统优化,满足先进制程严苛污染要求