SUMITOMO住友重机械 S-UHE 高能离子 植入装置
SUMITOMO住友重机械 S-UEH 高能离子 植入装置 SUMITOMO住友重机械 S-UEH 高能离子 植入装置能够实现高生产力的高能离子植入设备全球标准高能离子植入对于嵌入式器件中三孔形成至关重要,同时也成为大规模生产CCD和CIS等图像传感器的关键技术。 我们提供HE3系列,作为高能离子植入装置,采用多级射频Linux加速方法。此外,单叶超高能装置“S-UHE”能够实现超高能量
SUMITOMO住友重机械 S-UEH 高能离子 植入装置 SUMITOMO住友重机械 S-UEH 高能离子 植入装置能够实现高生产力的高能离子植入设备全球标准高能离子植入对于嵌入式器件中三孔形成至关重要,同时也成为大规模生产CCD和CIS等图像传感器的关键技术。 我们提供HE3系列,作为高能离子植入装置,采用多级射频Linux加速方法。此外,单叶超高能装置“S-UHE”能够实现超高能量
SUMITOMO住友重机械 S-UHE 高能离子 植入装置
SUMITOMO住友重机械 S-UHE 高能离子 植入装置
高能离子植入对于嵌入式器件中三孔形成至关重要,同时也成为大规模生产CCD和CIS等图像传感器的关键技术。 我们提供HE3系列,作为高能离子植入装置,采用多级射频Linux加速方法。
此外,单叶超高能装置“S-UHE”能够实现超高能量的注射范围,超越传统高能装置的能量范围,并实现前所未有的精准注入已经开始提供这些服务。 S-UHE配备了长期采用HE3系列的LINAC系统,采用单叶传输系统和对称离子束并联光学——这些是高电流和中电流器件的共同概念——以实现高精度束流并行性和高精度注入均匀性。
对于高性能图像传感器工艺,处理超高能量至关重要
能量范围:最小:85keV(直流电)/ 最大:6.8MeV
高质量注射和高生产率是可能的。
最大化现有设备技术的应用
对称光束线结构使得高质量的光束生成成为可能
高注入角精度确保了出色的面内均匀性和可重复性
改进注入不均匀性并实现高能量精度
显著缩短了生产颈部注注工艺的加工时间
金属污染的最小化
剂量偏差的抑制