SUMITOMO住友重机械 MC3-II/GP 中电流离子 植入装置
SUMITOMO住友重机械 MC3-II/GP 中电流离子 植入装置 SUMITOMO住友重机械 MC3-II/GP 中电流离子 植入装置一种具有高度应用灵活性的一体化器件,结合了中高电流技术SAion是一款兼容300毫米的离子植入装置,彻底改造了其光学系统、传输系统和控制系统。它具备宽能量剂量范围,集成了传统高电流和中电流器件,使得半导体制造中多种注入工艺能够使用该设备处理。特别是,通
SUMITOMO住友重机械 MC3-II/GP 中电流离子 植入装置 SUMITOMO住友重机械 MC3-II/GP 中电流离子 植入装置一种具有高度应用灵活性的一体化器件,结合了中高电流技术SAion是一款兼容300毫米的离子植入装置,彻底改造了其光学系统、传输系统和控制系统。它具备宽能量剂量范围,集成了传统高电流和中电流器件,使得半导体制造中多种注入工艺能够使用该设备处理。特别是,通
SUMITOMO住友重机械 MC3-II/GP 中电流离子 植入装置
SUMITOMO住友重机械 MC3-II/GP 中电流离子 植入装置
SAion是一款兼容300毫米的离子植入装置,彻底改造了其光学系统、传输系统和控制系统。
它具备宽能量剂量范围,集成了传统高电流和中电流器件,使得半导体制造中多种注入工艺能够使用该设备处理。特别是,通过将束流电流(相较中电流器件)在几乎所有工作范围内都超过两倍,显著提升了生产力。
在质量方面,新设计的传输系统实现了500张/小时的机械通量,同时成功抑制了细颗粒,这是半导体制造中降低良率的关键因素。在离子植入装置中,首次实现了关键束流质量信息的测量和控制,如束流散度角度和平行度,这些信息此前只能在晶圆表面不同位置测量,直接测量到产品晶圆表面。
这些定义SAion的特性不仅为当前一代的300mm晶圆主工艺设计,也为未来的450mm晶圆设计,实现未来平稳的工艺过渡。
SAion是第六代离子植入装置,具备高生产率和注射质量、广泛的操作灵活性,以及使工艺迁移极为便捷的理念。
不仅支持300mm,还支持200mm晶圆,并可扩展至450mm。
一个集成HC和MC设备的框架
能量范围:最小:0.2keV / 最大:630keV
得益于高电流值和宽能量范围,器件性能高
跨型号兼容性带来了新价值,如生产型号间灵活性提升、设备利用率提升以及掌握工时减少。
通过采用新型输送系统提升生产力和减少颗粒
通过采用新的角度测量系统,提升了光束角度测量的速度和质量
能够测量与晶圆同一平面上的束角
射频淋浴系统标准化
金属污染的最小化
对称扫描时均匀性良好
主要用于静电器件的节能性能