SUMITOMO住友重机械 SHX-III/HC高电流 离子植入装置

LSI微型化每2~3年就推进一代，随着Logic平台完成14纳米节点，我们进入了一个节点低于10纳米器件开发的时代。 与此同时，离子植入所需的技术也在不断发展，尤其是在高电流离子植入装置领域，目标是实现“更高的精度”。

除了高可靠性的注射系统“批量高电流器件”外，公司还提供SHX系列“单叶高电流器件”，通过专有的束控技术控制注入损伤和分布，实现高精度、高质量且高效高效的离子注入技术。

SHX-III是全球首款采用束流扫描与机械扫描结合的单叶片高电流离子植入装置，实现了极高的精度植入和超低能耗生产率，这对于制造尖端器件至关重要。这就是实现的方式。 传统上，在高电流器件中扫描束流并以极低能量实现高束流被认为是困难的，但现在通过新开发的静电扫描仪（包括新的光束线设计）实现了这一切。

采用对称离子束平行化光学系统，实现水平扫描方向的优良光束均匀性，以及保持高精度光束平行性和光束轴线与晶圆表面恒定交点的晶圆扫描机制，实现了尖端器件所需的高精度注入均匀性。

此外，末级能量滤波器利用静电和磁场确保高纯度和足够的束流电流，即使在超低能量注入过程中也不会有能量污染。

• 兼容300毫米晶圆

• 应用于下一代工艺（20~22纳米节点）

• 能量范围：最小：0.2keV / 最大：60keV

• 无能量污染的漂移级200eV远射电流，适合大规模生产

• 得益于高通量，低到中剂量时高产出。

• 紧凑设计有助于最小化占地面积

• MIND系统纠正其他工艺造成的不均匀，有助于提升整个工艺的生产力和产量。