产品概述

核心参数

• 通道数：256 通道

• 单通道受光面积：0.3 × 0.6 mm

• 像元间距：0.2 mm

• 有效感光总长：51.2 × 0.6 mm

• 闪烁体类型：GOS (Tb)

• 适用 X 光能量：30 keV～100 keV

• 光谱响应范围（芯片）：200～1000 nm

• 峰值响应波长：720 nm

• 供电电压：5 V

• 最大行速率：7568 行 / 秒

• 反馈电容：0.5 pF

• 工作温度：-20℃～+60℃（无结露）

• 储存温度：-55℃～+80℃

• 冷却方式：非制冷

产品特点

1. 预耦合 GOS 闪烁体，开箱直接将 X 射线转为可见光信号，余辉低，连续扫描拖影抑制效果好

2. 内置全套信号处理 ASIC，不需要外接多路放大电路，硬件开发难度低

3. 0.2mm 超细像元间距，256 通道，相比 128G 型号空间分辨率更高，适合精细缺陷成像

4. 零偏工作模式，暗电流低、噪声小、动态范围宽，低对比度探伤场景成像干净

5. 背照结构，感光面无键合焊盘，不容易损伤芯片，支持多片首尾拼接拓展长线扫描视野

6. 同系列配套型号：S11865-256（无闪烁体）、S11865-64G、S11865-128G

应用场景

使用注意事项

1. 供电严格采用 5V，电压异常容易损坏内置 ASIC 芯片

2. GOS 陶瓷闪烁层质地偏脆，装配固定避免重压、撞击，防止闪烁层开裂脱落

3. 虽然 GOS 防潮性能优于碘化铯，整机仍建议密封，禁止在结露环境使用

4. 需要匹配规格书 CLK、RESET、Trig 时序信号，主控时序不能错乱

5. PCB 布线做好数字时钟与模拟信号隔离，降低通道串扰

6. 器件静电敏感，装配全程落实防静电防护

7. 和 S11865-128G 对比：256G 通道更多、像元间距更小，成像分辨率更高