【高斯摩】ACCRETECH东京精密 边缘磨床W-GM-5200

一、产品定位

二、核心规格参数

1. 适配工件专属加工 300mm（12 英寸）晶圆，兼容带定位缺口的规格产品。标准加工厚度区间 0.6mm 至 1.0mm。可加工材质包含单晶硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、铌酸锂以及各类光学玻璃。
2. 加工精度与主轴参数X/Y/Z 三轴定位分辨率为 1μm，旋转轴 θ 分辨率 0.001°，设备整体重复精度控制在 ±2μm 以内。采用激光非接触式中心对准，对准精度可达 ±50μm。外周研磨主轴搭配机械轴承与油脂润滑，最高转速 5000 转每分钟；缺口研磨主轴采用空气轴承和气涡轮驱动，最高转速可达 80000 转每分钟。
3. 研磨配置外周研磨标配砂轮外径 202mm、内径 30mm；缺口加工适用沟槽直径 1.8mm 至 2.4mm，外周直径 3.8mm。设备采用两级研磨工艺，外周打磨、缺口加工可单独设置工艺参数，调试灵活。
4. 设备结构与控制系统整机搭载 AC 伺服电机与滚珠丝杠，实现 X/Y/Z/θ 四轴联动。全程采用非接触式测量方案，加工前自动检测晶圆厚度，加工后检测成品直径与缺口深度。配备卡盘式全自动上下料机构，集成自旋清洗与风干功能。操作端配置 12 英寸彩色触控显示屏，搭配三色指示灯，设备运行状态一目了然。
5. 物理与电气参数整机外形尺寸宽 3040mm、深 1775mm、高 2000mm，含信号塔总重量约 5000kg，接入常规工业电源即可满足运行需求。

三、核心特性

1. 大尺寸专属结构，加工稳定品质高配备大尺寸专用研磨单元，主轴运转精度优异，加工后的晶圆边缘轮廓规整，可达到镜面光洁效果。搭配多轴协同支撑控制，大尺寸晶圆高速运转时无抖动现象。采用低损伤磨削工艺，有效避免碳化硅、氮化镓等脆料出现崩边、微裂纹问题，保障生产良率。
2. 全流程非接触检测，精度自动补偿依托激光对位与非接触式尺寸检测模块，全程不接触晶圆表面，防止划伤工件。加工前后自动采集尺寸数据，并根据偏差完成闭环补偿，保证批量产品加工精度统一，长期运行无精度衰减。
3. 全自动一体化作业，适配量产需求整合自动上下料、研磨、清洗、风干全流程工序，全程无需人工干预，适配产线长时间连续量产。外周、缺口两大加工模块参数独立可调，可快速切换加工模式，满足多样化工艺要求。
4. 模块化设计，运维便捷核心部件采用模块化布局，砂轮、轴承等易损件拆装更换简便，有效缩短设备停机时间。设备自带运行状态监测功能，异常问题可及时预警。整体密封防护到位，阻挡研磨粉尘侵入内部精密组件，降低故障概率。

四、适用场景

1. 12 英寸先进半导体量产

   用于 300mm 硅基晶圆边缘修整、倒角加工，服务于高端逻辑芯片、存储芯片等先进制程。

2. 第三代半导体与光电子制造

   完成大尺寸碳化硅、氮化镓、蓝宝石衬底晶圆的边缘及缺口加工，适配高端功率器件、射频元件、光学元器件生产。

3. 高端特种晶圆加工

   针对带定位缺口、特殊厚度的 12 英寸晶圆做精细化修边处理，满足高端半导体、光电行业定制化加工需求。