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【高斯摩】ACCRETECH东京精密 边缘磨床W-GM-4200

【高斯摩】ACCRETECH东京精密 边缘磨床W-GM-4200【高斯摩】ACCRETECH东京精密 边缘磨床W-GM-4200一、产品定位W-GM-4200 是一款高精度晶圆边缘磨床,适用于 2 至 8 英寸半导体晶圆加工。设备采用紧凑型结构,搭载非接触式检测技术,加工损伤低,可完成晶圆边缘倒角、轮廓修整、边缘缺陷去除等工序。可加工硅、碳化硅、氮化镓、蓝宝石等多种硬脆材料,广泛应用于样品试制、工

【高斯摩】ACCRETECH东京精密 边缘磨床W-GM-4200

【高斯摩】ACCRETECH东京精密 边缘磨床W-GM-4200



一、产品定位

W-GM-4200 是一款高精度晶圆边缘磨床,适用于 2 至 8 英寸半导体晶圆加工。设备采用紧凑型结构,搭载非接触式检测技术,加工损伤低,可完成晶圆边缘倒角、轮廓修整、边缘缺陷去除等工序。可加工硅、碳化硅、氮化镓、蓝宝石等多种硬脆材料,广泛应用于样品试制、工艺研发以及批量生产场景,是中小尺寸晶圆边缘制程的常用设备。

二、核心规格参数

  1. 适配工件设备分两种规格可选,分别支持 2 至 6 英寸、4 至 8 英寸晶圆。标准加工厚度范围 0.4mm 至 1.0mm,也可根据需求定制厚度。兼容平边、半平边以及带定位缺口的晶圆。可加工材质包含单晶硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、铌酸锂、光学玻璃等。
  2. 加工精度与运行参数X/Y/Z 轴定位分辨率为 1μm,旋转轴定位分辨率 0.001°,设备整体重复精度控制在 ±2μm 以内。采用激光非接触式中心对准,对准精度可达 ±50μm。外周砂轮最高转速 4000 转每分钟,采用两级研磨模式,可针对外周、平边、缺口分别独立设置工艺参数。
  3. 设备结构配置搭载高旋转精度研磨主轴,有效优化边缘表面品质。配备全套非接触式测量系统,加工前检测晶圆厚度,加工后检测直径与缺口深度。整机采用伺服电机驱动,实现四轴联动作业。采用卡盘式上料结构,集成自旋清洗与风干功能。配置 12 英寸彩色触控显示屏,搭配三色状态指示灯,操作与状态观测直观。
  4. 物理与电气参数整机外形尺寸宽 2115mm、深 1410mm、高 2000mm,设备总重量约 3000kg,接入常规工业电源即可稳定运行。

三、核心特性

  1. 高精度低损伤加工研磨主轴运转精度高,打磨出的晶圆边缘轮廓规整,表面粗糙度表现优异。专属磨削工艺可有效减少崩边、微裂纹等问题,适配碳化硅、氮化镓等易脆材料。支持边缘镜面加工,提升晶圆品相,减少后续工序不良率。
  2. 非接触式检测对准全程采用非接触式测量与激光对位,不会划伤晶圆表面。加工前后自动完成尺寸检测,并根据数据自动补偿误差,保障整批产品尺寸一致性,长期加工精度稳定。
  3. 功能完善,自动化程度高集成上料、研磨、清洗、风干全流程功能,减少人工操作。不同加工区域可独立设定参数,工艺调试灵活,能快速切换加工类型,适配多品类生产需求。
  4. 结构紧凑,运维便捷机身占地小,对车间空间要求低。整机布局合理,易损件更换、日常清洁与精度校准流程简单。设备状态提示清晰,便于工作人员及时排查异常,降低停机时间。

四、适用场景

  1. 通用半导体晶圆加工

    用于 2 至 8 英寸硅基晶圆的边缘倒角、修边处理,服务于逻辑芯片、分立器件、存储芯片的前道制程。

  2. 第三代半导体与光电子领域

    对碳化硅、氮化镓、蓝宝石等衬底晶圆做边缘修整,适配功率器件、射频元件、LED、光学元器件生产。

  3. 工艺研发与小批量试制

    凭借参数可调范围广、检测精度高的特点,可用于实验室新工艺验证、新品样品加工。

  4. 特种晶圆加工

    满足带定位缺口、特殊厚度晶圆的边缘加工需求,适配多元化生产订单。


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