【高斯摩】ACCRETECH东京精密 CMP设备ChaMP232

一、产品定位

二、核心规格参数

1. 适配工件支持直径 100mm 至 200mm 晶圆，覆盖 4 英寸至 8 英寸全主流规格，可向下兼容 150mm、100mm 中小尺寸晶圆。适配硅晶圆、二氧化硅、氮化硅、高低介电常数介质、铜钨金属层，同时可加工蓝宝石、碳化硅、陶瓷等特殊材料。适用制程范围为 65nm 至 28nm，应用品类覆盖逻辑、存储、功率、光电子、微机电元件等领域。
2. 加工能力晶圆整体厚度偏差 TTV 小于 2μm，局部平整度低于 0.5μm。薄膜片内不均匀性小于 1.0%，同批次工件偏差控制在 ±1.5% 以内。边缘排除区不超过 1.0mm，边缘形貌控制精度优异。标准工况下，200mm 铜层平坦化单片加工时长不超过 2 分钟，设备每小时产能可达 100 片以上。
3. 抛光系统配置采用双抛光台搭配单抛光头的双工位结构。搭载气浮式抛光头，配备独立气囊分区加压结构，可选配区域压力调控功能。压力调节范围 0 至 8psi，调节精度 0.1psi，低压运行状态稳定。抛光台最高转速 1500 转每分钟，抛光头最高转速 800 转每分钟。配备升级版光学终点检测系统与膜厚监测模块，实时闭环管控加工进程，有效规避过抛、欠抛问题。
4. 物理与电气参数整机外形尺寸宽 2200mm、深 2500mm、高 2200mm，设备总重约 5800kg。采用 380V 50Hz 工业供电，总功率约 22kW。外接供气压力要求 0.5 至 0.7MPa，需配备稳定的洁净干燥空气与氮气供应。

三、核心特性

1. 双工位架构，产能表现优异双抛光台协同作业，单抛光头轮换加工，相比单工位设备产能大幅提升。整机采用紧凑模块化布局，占地面积小于多台设备并联方案，空间利用率更高。全程实现干进干出闭环自动化流程，无需人工中途介入，适配长时间连续量产。
2. 气浮分区加压，抛光均匀性出色气浮结构结合独立气囊设计，晶圆全域受力均匀，中心与边缘抛光效果一致性高。压力调节精细，低压区间运行稳定，可匹配各类薄膜材料的加工要求，大幅降低表面缺陷、膜层损伤概率，保障产品良率。
3. 工艺兼容性强，柔性生产能力突出支持多种膜层、多种材质工件的加工切换，可灵活调配工艺参数，满足多品种、批量混产需求。终点检测与膜厚监测形成闭环控制，加工去除量精准可控，既适合标准化量产，也能用于新工艺、新配方的调试试验。
4. 模块化设计，运维便捷可靠核心组件采用模块化设计，抛光垫、密封圈、挡圈等易损件拆装更换简单，缩短设备停机时长。设备搭载智能自诊断系统，可实时监测运行状态并预警异常。内部密封、防浆料、防尘设计完善，有效保护精密部件，降低整体故障率。

四、适用场景

1. 8 英寸中高端半导体量产

   面向 65nm 至 28nm 制程的逻辑芯片、存储芯片、功率器件，完成各类薄膜层平坦化加工，适用于中大型规模化产线。

2. 特种元器件制造

   用于微 LED、声表面波滤波器、MEMS 传感器等产品晶圆处理，满足光电子、射频器件的高精度制程要求。

3. 硬脆材料加工

   对蓝宝石、碳化硅、陶瓷等衬底晶圆进行表面平坦化，适配第三代半导体、光通讯元件生产。

4. 工艺研发与中试

   凭借灵活的参数调节能力，可用于实验室、研发中心开展新材料、新工艺验证，兼顾小批量试制工作。

五、整体配置

标准配置

可选选配组件

六、使用与选型要点

1. 开机前检查与校准启动设备前，检查供电、供气、氮气及浆料供给系统工况，确认抛光台、抛光头运转正常。完成压力、转速、终点检测参数校准，根据工件材质、膜层类型调用对应工艺配方，核对参数后再进行上料作业。
2. 工艺参数设置结合薄膜特性、目标去除量调整抛光压力、主轴转速与加工时长。加工超薄膜层、软质材料时选用低压低速模式，避免表面划伤与膜层破损；更换加工材质后，同步匹配对应抛光液与工艺参数。
3. 日常维护与保养定期清理设备内部浆料残留与粉尘，检查管路通畅性。按时校验压力控制、膜厚检测精度，定期更换抛光垫、密封件等易损配件。每日查看设备运行日志与故障提示，对传动、气动组件做常规养护。
4. 选型参考本设备为 8 英寸晶圆中高端 CMP 机型，核心优势是双工位高产能、抛光精度高、工艺适配广。适合主打 65nm-28nm 制程、兼顾量产与研发的 200mm 半导体产线，也可用于特种光电子、功率器件规模化生产。不适用于 12 英寸大尺寸晶圆以及 7nm 及以下超先进制程场景。