【高斯摩】ACCRETECH东京精密 CMP设备ChaMP211

一、产品定位

二、核心规格参数

1. 适配工件支持直径 100mm 至 200mm 晶圆，覆盖 4 至 8 英寸主流规格，同时可兼容 2 英寸、3 英寸特殊小尺寸晶圆。可加工硅基晶圆，以及二氧化硅、氮化硅、高低介电常数介质、铜、钨金属层，也适配蓝宝石、碳化硅等材料。应用制程范围涵盖 130nm 至 28nm，适配多品类半导体器件生产。
2. 加工能力晶圆整体厚度偏差 TTV 小于 3μm，局部平整度低于 0.8μm。薄膜片内不均匀性小于 1.5%，同批次工件偏差控制在 ±2% 以内。边缘有效加工区域大，边缘排除区不超过 1.5mm，边缘形貌控制稳定。标准工况下，200mm 铜层平坦化单片加工时长不超过 2.5 分钟，设备每小时产能可达 80 片以上。
3. 抛光系统配置采用单抛光台搭配单抛光头的紧凑型结构。搭载气浮式抛光头，配备独立气囊分区加压结构。压力调节范围 0 至 6psi，调节精度 0.1psi，低压控制精准。抛光台最高转速 1200 转每分钟，抛光头最高转速 600 转每分钟。标配光学终点检测模块，实时监测薄膜厚度，自动停止加工，有效避免过抛、欠抛问题。
4. 物理与电气参数整机外形尺寸宽 1800mm、深 2200mm、高 2100mm，设备总重约 4500kg。采用 380V 50Hz 工业供电，总功率约 15kW。外接供气压力要求 0.5 至 0.7MPa，需接入洁净干燥空气。

三、核心特性

1. 结构紧凑，部署灵活成本低整机采用模块化紧凑型设计，占地面积小，对厂房空间要求低。设备采购与运行成本亲民，配套耗材、运维费用可控，适合预算有限、场地紧凑的生产车间与实验室。整机布局规整，安装调试流程简单，可快速投入使用。
2. 气浮加压技术，加工均匀性好依托气浮式抛光头与分区气囊结构，晶圆表面受力均匀，全域抛光效果一致。低压工况运行稳定，可适配各类薄膜材料的平坦化需求，兼顾加工效率与表面品质。边缘区域管控能力出色，减少边缘缺陷，提升有效芯片面积利用率。
3. 功能集成完善，工艺适配性强集成光学终点检测功能，全程自动化把控去除量，加工品质稳定可靠。可灵活切换多种抛光工艺，满足氧化层、金属层、介质层等不同膜层的加工要求，适配多品种、小批量的柔性生产模式。
4. 运维简便，故障率低核心部件模块化设计，拆装、检修、更换耗材操作简单。设备搭载基础故障自诊断功能，可及时反馈运行异常。整体机械结构成熟稳定，密封与洁净设计到位，粉尘、浆料不易侵入内部组件，有效降低故障频次，减少停机时间。

四、适用场景

1. 中小尺寸晶圆量产

   面向 4 至 8 英寸逻辑芯片、存储芯片、分立功率器件，完成各类薄膜层化学机械平坦化，适用于中小规模标准化生产。

2. 光电子与 MEMS 制造

   用于蓝宝石、碳化硅衬底以及微型机电元件晶圆的表面平坦化，满足光电器件、精密传感器的制程要求。

3. 工艺研发与中试

   适配半导体实验室、研发中心，开展新工艺、新材料、新配方的试验验证与样品试制，也可用于产线工艺调试。

4. 特殊小尺寸晶圆加工

   针对 2 英寸、3 英寸等非常规小尺寸晶圆进行平坦化处理，覆盖特种元器件生产需求。