【高斯摩】ACCRETECH东京精密 CMP设备ChaMP332

一、产品定位

二、核心规格参数

1. 适配工件

• 尺寸：φ200–300mm（8–12 英寸）

• 材质：硅晶圆、SiO₂、SiN、低 k / 高 k 介质、铜 / 钨金属层等

• 制程：90nm–7nm 先进制程，覆盖逻辑、存储、功率、先进封装

2. 加工能力

• 平坦化精度：全局 TTV＜2μm，局部平整度＜0.5μm

• 薄膜均匀性：片内不均匀性＜1%，批次 WTW＜±1.5%

• 边缘控制：边缘排除区仅 1mm，边缘形貌高度可控

• 典型效率：300mm 铜层 CMP，≤2 分钟 / 片，产能≥150 片 / 小时

3. 抛光系统配置

• 结构：3 抛光台 + 2 抛光头，粗抛 / 精抛 / 终抛一体化

• 抛光头：气浮式 “Sylphide”，独立气囊分区加压

• 压力控制：0–5psi 低压精准控制，分辨率 0.1psi

• 主轴转速：抛光台最高 1500RPM，抛光头最高 800RPM

• 终点检测：标配光学 EPD，实时监测膜厚，自动终止防止过抛

4. 物理与电气参数

• 尺寸：约 2800mm（宽）×3500mm（深）×2200mm（高）

• 重量：约 8000kg

• 电源：380V 50Hz，总功率约 25kW

• 供气：0.5–0.7MPa 洁净干燥空气

三、核心特性

1. 气浮抛光头 “Sylphide”，均匀低压加工

• 空气薄膜均匀加压，表面基准研磨，全域压力一致

• 晶圆压力与环压力独立气囊控制，低压区（0.1–1psi）稳定性极强

• 可选分区控制，精准调整中心 / 边缘压力，适配复杂形貌

• 边缘排除区仅 1mm，有效提升有效芯片面积

2. 3 台 2 头架构，高效柔性量产

• 三抛光台串联，一次完成粗抛、精抛、终抛，缩短工艺流程

• 双抛光头并行作业，产能翻倍，适配大规模量产

• 可灵活切换材质与制程，支持铜、钨、氧化层等多类型 CMP

• 标配全自动上下料、搬运、定位，全程无人干预

3. 集成终点检测与清洗，良率可控

• 光学 EPD 实时监测薄膜厚度，精准控制去除量，杜绝过抛 / 欠抛

• 集成在机清洗单元，抛光后立即清洗，防止颗粒残留与表面污染

• 全流程洁净环境设计，Class 1 级洁净度，保障纳米级表面质量

4. 维护极简，降低停机成本

• 挡圈 / 隔膜一键快换：拆卸约 5 秒、安装约 10 秒，无需拆头

• 模块化设计，核心部件易拆装，日常维护仅需常规点检

• 自诊断系统，实时预警异常，减少非计划停机

四、适用场景

1. 先进逻辑芯片：7–90nm 制程，氧化层、金属层、低 k 介质层平坦化

2. 存储芯片：DRAM、NAND Flash，多层堆叠结构平坦化

3. 先进封装：TSV、2.5D/3D 封装，晶圆键合前平坦化

4. 功率半导体：IGBT、MOSFET，背面减薄与表面平坦化