【高斯摩】ACCRETECH东京精密 全自动高刚性三轴磨床HRG3000RMII

一、产品定位

二、核心规格参数

1. 适配工件全自动模式支持直径 50mm 至 300mm 全规格晶圆，可加工裸晶圆、划片框架晶圆、PLP 基板，也可处理厚度不低于 20μm 的超薄晶圆。工件连同配套基座，整体最大加工厚度为 20mm。适配材质包含碳化硅、蓝宝石、氮化镓、氮化铝、铌酸锂、钽酸锂以及各类超薄硅片等高硬度、易脆裂材料。
2. 加工精度与效率设备进给最小分辨率达到 0.001μm，实现纳米级进给控制。单片晶圆内部厚度偏差 TTV 小于 0.5μm，同批次工件厚度偏差 WTW 控制在 ±0.5μm 以内，搭载自动厚度偏差闭环补偿系统。磨削后工件损伤层厚度低于 0.5μm，最大程度保留基材性能。常规加工效率稳定，300mm 碳化硅晶圆去除 150μm 厚度，单片加工时长约 2 分钟；300mm 蓝宝石晶圆去除 500μm 厚度，单片耗时约 8 分钟。
3. 主轴与三轴系统砂轮主轴功率 11kW，最高转速 3600 转每分钟，采用高精度动静压轴承，运转平稳。工件主轴功率 5kW，最高转速 650 转每分钟，配备高刚性空气轴承，承载与稳定性出众。X/Y/Z 三轴采用全闭环光栅尺控制，单轴定位精度可达 ±0.1μm，三轴独立驱动，支持联动运行。设备标配直径 300mm 标准磨轮，同时支持 #2000 至 #8000 不同粒度定制磨轮。
4. 机身与电气参数整机外形尺寸为宽 1750mm、深 3525mm、高 1978mm，设备总重量约 11000kg。采用三相 380V、50Hz 工业供电，设备总功率约 25kW。床身为整体铸造结构，搭配天然花岗岩基座，热稳定性优异。

三、产品核心特性

1. 三轴联动架构，刚性与稳定性拉满采用三轴独立驱动搭配中心对称布局，震动抑制能力大幅提升，长期运行不会出现精度漂移。整机结合铸造床身与花岗岩基座，受环境温度影响极小，环境温差在 ±1℃范围内，加工精度可保持稳定。针对硬脆材料优化磨削力学结构，有效降低晶圆崩边、碎裂概率，适配高价值晶圆加工。
2. 全自动一体化流程，适配 12 英寸量产线标配 300mm 晶圆全自动上下料、转运与定位机构，全程无需人工介入。可自动完成工件抓取、装夹、研磨、下料全流程，兼容框架晶圆、超薄晶圆等特殊工件流转。搭配智能调度系统，可直接对接工厂自动化产线，满足大规模连续化生产需求。
3. 超低损伤加工，兼顾精度与表面品质依托纳米级进给控制与专属磨削工艺，大幅缩减磨削损伤层，既能满足晶圆减薄的尺寸要求，也可实现镜面级表面加工效果。磨轮具备优异的自锐化能力，不易出现孔隙堵塞，在保障加工品质的同时，有效延长耗材使用寿命，降低生产成本。
4. 全闭环在线检测，精度实时调控搭载在机厚度检测与 TTV 自动补偿模块，加工过程中实时采集数据并闭环修正，无需将工件取下离线检测。全程把控厚度均匀性，杜绝批次性尺寸偏差，保障大批量产品品质高度统一。
5. 防护完善，运维便捷可靠整机采用全密封防尘、防碎屑设计，有效保护三轴传动、轴承、光学检测等精密组件，降低故障发生率。设备搭载智能故障诊断系统，可实时预警异常状态。人机交互界面简洁直观，支持多组工艺配方存储与一键调用，日常参数调试、设备巡检、耗材更换流程简化，缩短停机维护时间。

四、适用场景

1. 第三代半导体晶圆加工用于 12 英寸碳化硅、氮化镓晶圆的背面减薄、精磨处理，服务于高端 IGBT、MOSFET、射频功率器件等产品制程，提升器件散热与电气性能。
2. 光电子与光学晶圆制造针对大尺寸蓝宝石、铌酸锂、钽酸锂等光学衬底进行高精度研磨与镜面加工，适配高端 LED、光通讯、光学传感元器件生产。
3. 高端先进封装制程完成 12 英寸超薄硅晶圆、框架晶圆的减薄作业，匹配 Fan-out、2.5D/3D IC 等先进封装工艺要求。
4. 高端 MEMS 与传感器生产对特种硅片、陶瓷类晶圆进行低损伤精磨，满足微型精密传感器、微机电元件的严苛加工标准。
5. 前沿工艺研发凭借超高精度与丰富的功能配置，可用于新材料、新工艺的试验验证、样品试制，支撑半导体技术迭代研发。