【高斯摩】ACCRETECH东京精密 抛光研磨机PG3000RMII

一、产品定位

二、核心规格参数

1. 适配工件支持 200mm、300mm 标准整片晶圆，兼容常规硅晶圆、超薄晶圆、存在翘曲形变的晶圆，同时可处理附带保护胶带的各类工件。
2. 加工精度与效果成品厚度区间为 15μm 至 200μm，常规量产工况下可稳定加工至 20μm。单片晶圆内部厚度偏差不超过 2μm，同批次晶圆之间厚度偏差同样控制在 2μm 以内。经过抛光处理后，工件表面粗糙度 Ra 值小于 5nm，表面品质优异。
3. 主轴与运行模式研磨主轴采用高刚性结构设计，最大转速可达 3000 转每分钟，运转过程震动极低。设备搭载一体式加工卡盘，粗磨、精磨、抛光、清洗全部工序可连续完成，无需中途转运晶圆，减少工件损伤风险。
4. 生产产能以 25μm 厚度晶圆为加工标准，设备标准产能可达每小时 20 片，能够支撑产线长时间连续作业。
5. 集成功能模组搭载专用 RM 功能模组，集成保护胶带剥离、新型胶带贴合、划片框架装载等一体化功能，加工完成的超薄晶圆可直接完成框架固定，规避薄片转运损坏问题。
6. 检测与控制系统配备非接触式厚度检测传感器，可精准识别硅片实际厚度，不受表层胶带干扰。自带自动厚度偏差补偿功能，能够实时修正晶圆翘曲带来的尺寸误差，保障加工均匀度。
7. 洁净环境配置设备内部腔室达到百级洁净标准，标配空气过滤单元。采用湿式抛光工艺搭配在线清洗结构，加工后工件表面无化学药剂残留，契合半导体高洁净生产要求。

三、产品核心特性

1. 全流程一体化加工，提升综合良率单台设备集成减薄、抛光、胶带处理、框架装载多项工序，大幅简化生产流程，减少工件多次转运、人工接触的频次。有效降低超薄晶圆破损、污染概率，整体加工良率可维持在较高水平。
2. 精密加工工艺，工件无损伤结合高精度研磨与湿式抛光工艺，可彻底消除加工产生的损伤层。加工后的晶圆表面光滑平整，内部应力小，能够满足芯片键合、长期可靠运行等严苛使用要求。
3. 专用模组优化，适配极薄晶圆升级后的 RM 模组对作业流程进行优化，可自动化完成旧胶带剥离、新胶带贴合以及框架装载作业，动作平稳精准，专门针对极薄晶圆易碎裂的特点做了防护设计，大幅提升薄片处理稳定性。
4. 运行稳定可靠，适配量产工况高刚性主轴与整机减震结构，保障设备长时间高速运转状态稳定。系统自带运行状态监测功能，可实时捕捉设备异常并提前预警，减少突发故障造成的停机损失。
5. 功能可拓展，应用范围广设备预留功能拓展空间，可按需加装背面吸杂模块，满足存储芯片的特殊制程需求。也可加装全自动上下料机构，直接对接工厂自动化产线，适配不同规模的生产布局。

四、适用场景

1. 先进封装制程针对 8 英寸、12 英寸晶圆进行超薄化加工，服务于晶圆级封装、扇出型封装、2.5D 及 3D 集成芯片等主流先进封装工艺。
2. 存储芯片加工应用于 DRAM、NAND 闪存晶圆的减薄与背面处理，搭配吸杂模块可进一步优化芯片性能，提升产品长期使用可靠性。
3. 功率器件与传感芯片对 IGBT、MOSFET 等功率半导体晶圆，以及各类 MEMS 传感器晶圆做减薄处理，帮助器件降低工作损耗、提升散热能力。
4. 工艺研发与小批量生产适用于半导体研发实验室、试制车间，开展新材料、新工艺的测试验证，同时可灵活应对多品类、小批量的柔性生产任务。