【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12858-122

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12858-122

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12858-122

产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S12858-122 16 通道背照式硅光电二极管阵列，窄基板封装，出厂预搭载 GOS（钆氧硫化物）闪烁体，单像元尺寸 0.77×2.5 mm，像元间距 1.17 mm，属于 S12858 系列，通道密度更高，适合紧凑款一维线阵 X 射线探测，同系列还有 S12858-021 无闪烁体、S12858-324 薄 CsI (Tl)、S12858-422 厚 CsI (Tl) 版本。配套加宽基板版本 S12859 用于双层堆叠双能探头。

核心参数

• 通道数：16 通道

• 内置闪烁体：GOS

• 光谱响应范围：340 nm～1100 nm

• 峰值响应波长：920 nm

• 典型灵敏度：0.61 A/W

• 最大反向电压：10 V

• 最大暗电流：30 pA（VR=10 mV）

• 典型上升时间：6 μs

• 典型端子电容：35 pF

• 单像元尺寸：0.77 mm × 2.5 mm

• 像元间距：1.17 mm

• 基板尺寸：19.0 mm × 10.2 mm

• 工作温度：-10℃～+60℃（无凝露）

• 存储温度：-20℃～+70℃

产品特点

1. 超窄狭长像元，像元间距更小，同等总长下通道数量更多，适合紧凑型线扫描探头

2. 背照式结构，感光面无引线遮挡，光收集效率高

3. GOS 陶瓷闪烁层，余辉低、耐潮解，适合低能 X 射线采集

4. 低暗电流，噪声表现稳定，成像均匀性好

5. 系列区分：S12858-021 无闪烁体；S12858-122 带 GOS；S12858-324 薄 CsI (Tl)；S12858-422 厚 CsI (Tl)

6. 和 S12859-122 对比：光电参数一致；S12858 窄基板；S12859 加宽基板 19.0×18.0 mm，方便双层堆叠双能装配

7. 和 S11212、S12362 系列对比：S12858 像元更窄、间距更小，适合高分辨率线阵探测

应用场景

高分辨线阵 X 射线探测、小型工业 CT 线扫描探头、安检窄条射线探测器、食品异物在线检测、双能 X 射线成像、位置灵敏射线探测。

使用注意事项

1. 出厂已预集成 GOS 闪烁层，不需要额外粘贴闪烁晶体

2. 闪烁表层禁止硬物刮擦、有机溶剂接触，防止闪烁层受损

3. 反向偏压不可超过 10V，不可和 70V 规格 PIN 管混用驱动

4. 暗电流随温度上升变大，高精度成像建议稳定温控

5. 不适合深紫外检测场景