【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S13885-256
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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S13885-256

产品概述
核心参数
通道数:256 通道
单通道受光面积:0.1 × 0.3 mm
像元间距:0.2 mm
有效感光总长:51.2 × 0.3 mm
光谱响应范围:200~1000 nm
峰值响应波长:720 nm
供电电压:3.3 V
最大数据速率:1 MHz
最大行速率:3844 行 / 秒
反馈电容:0.125 pF
读出方式:同步积分式
结构:背照式,不含闪烁体
工作温度:-20℃~+60℃(无结露)
储存温度:-55℃~+80℃
冷却方式:非制冷
产品特点
新一代集成信号处理 ASIC,灵敏度优于 S11865、S11866 系列,低剂量 X 光场景信噪比表现优异
3.3V 单电源供电,功耗更低,适配便携、低功耗检测设备
0.2mm 超细像元间距,256 通道,空间分辨率高,适合精细缺陷成像检测
零偏光电二极管设计,暗电流低,搭配内置钳位电路,噪声低、动态范围宽
背照式结构,感光面无键合焊盘,贴合闪烁片时不易损伤芯片,支持双层叠装搭建双能 X 光识别方案
同系列配套型号:S13885-128、S13886-128;预耦合 GOS 闪烁体版本 S13885-256G,开箱直接用于 X 光探测
应用场景
使用注意事项
供电严格使用 3.3V,电压异常容易损坏内置 ASIC 芯片
本型号不带闪烁体,用于 X 射线检测需要自行选配 CsI (Tl)、GOS 闪烁转换层
驱动需要匹配规格书 CLK、RESET、Trig 时序信号
PCB 布线区分数字时钟与模拟信号区域,做好隔离,降低通道串扰
芯片脆弱,贴合闪烁体时控制压力,避免芯片碎裂;装配全程防静电
使用环境严禁结露,水汽会造成芯片、粘接层劣化
和 S13885-128 对比:256 通道版本像元间距更小、分辨率更高,最大行速率更低
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