产品概述

核心参数

• 通道数：16 通道

• 单通道受光面积：1.175 × 2.0 mm

• 像元间距：1.575 mm

• 基板尺寸：25.4 × 10.2 mm

• 闪烁体类型：CsI (Tl) 碘化铯

• 闪烁发光峰值：560 nm

• 光谱响应范围（芯片）：340～1100 nm

• 峰值响应波长：920 nm

• 典型灵敏度：0.61 A/W（920nm）

• 最大暗电流：30 pA（VR=10mV，单通道）

• 典型上升时间：6.5 μs

• 典型端子电容：40 pF（VR=0V，单通道）

• 最大反向电压：15 V

• 工作温度：-20℃～+60℃（无结露）

• 储存温度：-55℃～+80℃

• 冷却方式：非制冷

产品特点

1. 预封装 CsI (Tl) 闪烁体，X 光吸收效率高，适合高能 X 射线探测，常搭配 S11212-422 组成上下层双能成像方案

2. 背照结构，入射面没有键合引线，贴合闪烁体时不易损伤芯片

3. 窄薄细长基板，适合空间受限的紧凑型 X 光设备，多片串联拼接可以延长扫描线阵长度

4. 像元响应一致性好，适合连续线扫描成像

5. 同系列配套型号：S11299-021（无闪烁体）、S11299-321（GOS 陶瓷）、S11299-421（荧光片）

应用场景

使用注意事项

1. 最大反向电压 15V，严禁超压，防止通道芯片损坏

2. CsI (Tl) 闪烁体极易潮解，整机必须做严格密封防潮，禁止在结露环境使用

3. 闪烁层质地脆，安装固定避免重压、撞击，防止闪烁层开裂脱落

4. PCB 布线时分通道独立走线，做好隔离，降低通道之间信号串扰

5. 器件静电敏感，装配全程落实防静电防护

6. 和 S11212-121 对比：芯片光学参数一致，S11299 基板更窄更薄，适合紧凑化设备设计